Специалисты компании DisplayLink и Alereon разработали интерфейс для беспроводной связи монитора и компьютера. Отмечается, что пользователь не заметит разницы в типе используемого соединения. Устройство построено на базе чипсета Alereon AL5000 и использует фирменную технологию компании DisplayLink. Чип AL5000 содержит радиопередатчик, комплекс электронных фильтров, усилитель, сетевой адаптер и вычислительный контроллер. Технология DisplayLink, в свою очередь, отвечает за обработку изображения и эмуляцию физического видеоконтроллера. Такой комплекс способен обрабатывать 32-битное изображение (16,7 млн цветов) с разрешением до 1680х1050 пикселей в режиме реального времени. Для передачи сигнала используется протокол Wireless USB в частотном канале от 3,1 до 10,6 ГГц. Помимо своеобразного видеомодема, производитель поставляет прошивки и ПО для создания разнородных устройств.
Передача данных
Ученые университета им. Вандербильта (США) и университета г. Констанц (Германия) разработали оптический затвор, способный открываться на десятки фемтосекунд (фемто - 10-15). Такие данные были получены при управлении оптическими свойствами диоксида ванадия и использовании когерентного контроля. Суть последнего заключается в воздействии когерентного излучения на атомные, молекулярные или оптические системы. Ученые использовали лазерное облучение для изменения оптических свойств тонкой пленки диоксида ванадия. Такой материал является прозрачным полупроводником до температуры 68 градусов Цельсия и переходит в металлическое состояние, проявляя отражающие свойства, при дальнейшем росте температуры. Ранее ученые сталкивались с достаточно длительным процессом нагрева/остывания пленки, что не удовлетворяло требованиями. Однако специалисты университетов заметили, что лазерные импульсы продолжительностью 12 фемтосекунд способны изменить прозрачное состояние пленки на отражающее. Для обратного перехода необходимо не более 100 фемтосекунд. Основной особенностью такого процесса является незначительный нагрев. Изменение физических свойств материала (кристаллической структуры) происходило при поглощении лазерного излучения.
Специалисты исследовательского центра компании IBM совместно с ведущим ученым проекта доктором Уиллом Грином (Will Green) разработали электрооптический модулятор Маха-Зендера с пропускной способностью 10 Гб/с. Основной особенностью устройства являются в 100-1000 раз более компактные размеры, чем у аналогичных по принципу действия и назначению модуляторов, разработанных ранее. Прототип обладает входами для цифрового и лазерного сигналов и способен выдавать световые импульсы, характеризующие последовательности нулей и единиц на входе. Принцип действия устройства достаточно прост. Роль проводника для световых импульсов играет кремниевый нанофотонный волновод, а исходным источником света является лазерный луч. При этом сам модулятор играет роль затвора. В зависимости от содержания входящего потока данных, он либо открывается, пропуская лазерный луч, либо закрывается. Соответственно, в первом случае формируется логическая единица, во втором - ноль. Отмечается, что такой модулятор позволит создавать процессоры, объединяющие тысячи ядер, обладающие малым энергопотреблением и высоким быстродействием. Разработчики надеются увидеть разработку в процессорах будущего, а также суперкомпьютерах, сходных по размерам с нынешним ноутбуком.
Ученые Корейского научно-технического института предлагают использовать разработанный ими тип волоконно-оптических кабелей на основе пластика. Среди преимуществ нового материала разработчики называют достоинства оптоволокна и медных проводников: высокие скорости передачи данных, гибкость физического канала и минимизация трудозатрат при коммутации. Отмечается, что пропускная способность разработанного физического канала достигает 2,5 Гб/с, а интеграция в существующие сети не вызовет особых затруднений.
Компания Rambus анонсировала проект Terabyte Bandwidth Initiative (TBI), в рамках которого поставлена задача разработки шины с пропускной способностью свыше одного ТБ/с. Придумать сферу применения такого контроллера - труда не составляет. Отмечается, что теоретически такой контроллер возможен, а в настоящее время работа идет над рабочим прототипом микросхемы.
Ученые для построения контроллера предлагают объединить в единую систему 16 DRAM-каналов передачи данных. Другими словами, каждый канал способен передавать до 64 ГБ данных за секунду. В опытных разработках для повышения рабочей частоты чипов была использована система тактирования FlexLink, которая повышала исходную частоту входящей информации (500 МГц) в 32 раза. Для корректной работы на таких скоростях инженеры применили архитектуру памяти Fully Differential Memory Architecture (FDMA) и технологию FlexPhase для минимизации ошибок. Специалисты компании ожидают коммерческой реализации в течение 3 лет, несмотря на отсутствие работающего прототипа в настоящее время.
Нанотехнологии
Группа ученых во главе с доктором Аланом Виндлом (Alan Windle) из Кембриджского университета разработала технологию, пригодную для изготовления волокна в промышленных масштабах из углеродных нанотрубок. Материал, полученный по такой технологии, имеет толщину несколько микрометров и является одним из самых прочных среди известных. Для его получения ученые помещали в печь промышленные углеводороды (этанол, гексан, метан) совместно с небольшим количеством катализатора ферроцена на основе железа. В печи под воздействием высоких температур происходило высвобождение углерода, который осаждался на частицах катализатора и приводил к образованию длинных нанотрубок. По мере роста нанотрубки организовывали структуру, которая с помощью металлического стержня вытягивалась в тонкую нить. Отмечается, что производительность процесса составляет 50 м/мин. Полученные образцы, помимо прочности, обладали высокой теплопроводностью и проводили электрический ток при сохранении механических параметров при температурах до 300 градусов Цельсия. Ученые ожидают увидеть применение технологии в военной и космической отраслях, а также при производстве прозрачных проводящих пленок для индикаторных панелей.
Ученые Алекс Цеттл (Alex Zettl) и Каглар Гирит (Caglar Girit) из Калифорнийского университета в Беркли предлагают для пайки нанообъектов использовать расплавленные капли индия, что не приводит к загрязнению спаиваемых образцов (благодаря хорошим адгезивным свойствам). В результате опытов было установлено, что сопротивление контактов в изготовленных графеновых приборах может варьироваться от 190 до 1700 Ом при средней величине 680 Ом. Отмечается, что такой показатель сравним с лучшими показателями для контактов, изготовленных с помощью метода электронной литографии. Разработчики ожидают увидеть технологию на производстве миниатюрных транзисторов, соединениях нанотрубок и нанопроводов.
Дисплеи
Группа исследователей из университета Tohoku и корпорации Sony разработала технологию повышения контрастности и уменьшения времени отклика для ЖК панелей с вертикальным выравниванием кристаллов (VA LCD). Отмечается, что в настоящее время молекулы панели VA LCD находятся в вертикальном положении, пока к ячейке не подводится напряжение. Приложение электрического сигнала определенной силы меняет угол их наклона. Для наклона молекулы в определенном направлении на подложке формируют специальную структуру или разрез в управляющем электроде пикселя. Последний фактор приводит к нарушению положения прилегающих жидких кристаллов и снижению контрастности из-за большего поглощения света лампы подсветки. Ученые предлагают устранить выступ или разрез путем придания небольшого наклона (около 1 градуса) в заранее определенном направлении. Отмечается, что такой подход помогает улучшить как контрастность, так и время отклика.
Группа ученых из компании Vatech совместно с Samsung разработала плоскопанельный детектор рентгеновского излучения (flat panel X-ray detector, FPXD). Основной аппарата является датчик для преобразования рентгеновских лучей в цифровые сигналы. Последние, в свою очередь, формируют видимое изображение. Напомним, что в настоящее время для получения рентгеновского снимка используется чувствительная пленка, а для получения видимого изображения необходим химический процесс проявки. В анонсированной разработке используются тонкопленочные транзисторы (TFT). Отмечается, что это позволило повысить качество и разрешение изображений, а также снизить временные и материальные затраты на получение снимков. Инженеры разработали матрицу с разрешением 9,4 МП (3072x3072) и физическими размерами 45х46 см. Помимо медицины, возможной сферой применения называются системы контроля качества в строительстве и системы безопасности в аэропортах.
Хранение
Компания Toshiba разработала технологию для достижения плотности флэш-памяти в 100 Гб. Инженеры разработали технологию двойного туннелирования и ожидают ее применения в образцах, для производства которых требуются 10-нм техпроцесс. Специалисты разработали туннельный слой для контроля движения электронов в структуре памяти SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), который позволяет удерживать электроны в нитридном слое изолятора. Грубо говоря, между слоями оксидных пленок толщиной 1 нм расположен 1,2-нм слой кремниевых нанокристаллов (Si9N10). Последние как раз и обеспечивают высокую скорость работы памяти и возможность параллельного доступа.
Питание
Компания Toshiba выпустила промышленный аккумулятор, который способен за 5 минут заряжаться на 90 %. Помимо высокой "скорости", батарея выдерживает 5 тыс. циклов зарядки/перезарядки в течение 10 лет. Снижение емкости на 10 % наблюдается через 3 тыс. циклов. Аккумулятор получил кодовое название Super Charge ion Battery (SCiB) и основан на базе нового состава электролита, сепараторов и материала катода. Отмечается, что в настоящее время существует два варианта - с габаритами 62x95x13 мм и весом 150 г, а также с размерами 100x300x45 мм при весе 2 кг. Устройство поменьше выдает 2,4 В, а побольше - 24 В. Емкость каждого аккумулятора составляет 42 Ач и достигается с помощью 10 секций. Разработчики надеются увидеть разработку в электромобилях, системах бесперебойного питания и т. д. Также планируется разработка моделей, пригодных для потребительской электроники. Коммерческая реализация и массовое производство запланировано на март 2008 г.
Сайт газеты "Компьютер-Информ" является зарегистрированным электронным СМИ. Свидетельство Эл 77-4461 от 2 апреля 2001 г. Перепечатка материалов
без письменного согласия редакции запрещена.
При использовании материалов газеты в Интернет гиперссылка обязательна.
Телефон редакции (812) 718-6666, 718-6555.
Адрес: 196084, СПб, ул.Заставская, д.23, БЦ "Авиатор", 3-й этаж, офис 307
e-mail: editor@ci.ru
Для пресс-релизов и новостей news@ci.ru
Ученые университета им. Вандербильта (США) и университета г. Констанц (Германия) разработали оптический затвор, способный открываться на десятки фемтосекунд (фемто - 10-15). Такие данные были получены при управлении оптическими свойствами диоксида ванадия и использовании когерентного контроля. Суть последнего заключается в воздействии когерентного излучения на атомные, молекулярные или оптические системы. Ученые использовали лазерное облучение для изменения оптических свойств тонкой пленки диоксида ванадия. Такой материал является прозрачным полупроводником до температуры 68 градусов Цельсия и переходит в металлическое состояние, проявляя отражающие свойства, при дальнейшем росте температуры. Ранее ученые сталкивались с достаточно длительным процессом нагрева/остывания пленки, что не удовлетворяло требованиями. Однако специалисты университетов заметили, что лазерные импульсы продолжительностью 12 фемтосекунд способны изменить прозрачное состояние пленки на отражающее. Для обратного перехода необходимо не более 100 фемтосекунд. Основной особенностью такого процесса является незначительный нагрев. Изменение физических свойств материала (кристаллической структуры) происходило при поглощении лазерного излучения.
Группа ученых во главе с доктором Аланом Виндлом (Alan Windle) из Кембриджского университета разработала технологию, пригодную для изготовления волокна в промышленных масштабах из углеродных нанотрубок. Материал, полученный по такой технологии, имеет толщину несколько микрометров и является одним из самых прочных среди известных. Для его получения ученые помещали в печь промышленные углеводороды (этанол, гексан, метан) совместно с небольшим количеством катализатора ферроцена на основе железа. В печи под воздействием высоких температур происходило высвобождение углерода, который осаждался на частицах катализатора и приводил к образованию длинных нанотрубок. По мере роста нанотрубки организовывали структуру, которая с помощью металлического стержня вытягивалась в тонкую нить. Отмечается, что производительность процесса составляет 50 м/мин. Полученные образцы, помимо прочности, обладали высокой теплопроводностью и проводили электрический ток при сохранении механических параметров при температурах до 300 градусов Цельсия. Ученые ожидают увидеть применение технологии в военной и космической отраслях, а также при производстве прозрачных проводящих пленок для индикаторных панелей.