Компания Toshiba выпустила
1Гбит чипы флэш-памяти типа NAND, разработанные совместно с компанией SanDisk.
NAND-тип памяти разработан для улучшения характеристик перезаписи и повышения
плотности по сравнению с NOR-типом памяти и применяется в съемных картах памяти
SmartMedia, CompactFlash и Secure Digital. Они будут производиться по 0,13-мкм
технологии. Чипы доступны в двух вариантах: в корпусе TSOP (Thin Small Outline
Package, версия TC58NVG0S3AFT) и в корпусе LGA (Land Grid Array, версия TC58NVG0S3AXL).
Обе версии чипа имеют конфигурацию 128Мх8бит, напряжение питания 2,73,6В,
размер страничной памяти составляет 2112Б, размер блока 128К+4К.
Время записи составляет около 200мс, время стирания около 2мс на блок.
Время выборки данных составляет менее 25мкс при первом обращении и 50нс при
последовательной выборке, при этом скорость обмена данными достигает 10Мб/с.
Образцы чипов TC58NVG0S3AFT уже доступны по цене около $66 за штуку, образцы
чипов TC58NVG0S3AXL появятся в октябре. Массовое производство чипов намечено
на конец 2002 года.
Компания
Cypress Semiconductor представила 12Мб чип асинхронной статической памяти (SRAM),
выпускаемый по 0,15-мкм техпроцессу в форм-факторе BGA с 119 выводами. Характерное
время чтения/записи не более 8нс. Отгрузка пробных образцов уже началась,
а в ноябре ожидается начало массовых поставок по цене $40 в партиях от 1000
единиц.
Компания Kingston Technology
начала поставки:
•32-битных модулей памяти RIMM3200 и RIMM4200 под своим брэндом ValueRAM.
32-битные модули RIMM от Kingston выполнены в версиях 800МГц (RIMM3200) и
1066МГц (RIMM4200), обладают временем выборки 40нс и 32нс соответственно
и доступны в вариантах емкостью 128МБ и 256МБ RIMM3200/RIMM4200, в вариантах
с поддержкой ECC и без нее. Модули выполнены в виде 232-контактных модулей RDRAM,
на 256/288Мб Micro-BGA чипах RDRAM. Высота модулей 34,93мм.
•256МБ и 512МБ модулей памяти PC3200 (DDR400) под своим брэндом ValueRAM.
Квыпуску подготовлены следующие модули памяти от Kingston:
KVR400X64C25/256 256MB 400MHz DDR DIMM, CL 2.5;
KVR400X64C25/512 512MB 400MHz DDR DIMM, CL 2.5.
Компания Fujitsu выпустила
чипы Mobile Fast Cycle RAM (FCRAM), выполненные на основе архитектуры FCRAM.
Чипы поддерживают страничный режим доступа к памяти (Page Mode) и обладают
достаточно низким током утечки в ждущем режиме (не более 10мкА).
32МБ чипы MB82DPS02183B семейства Mobile FCRAM имеют рабочее напряжение питания
1,8В, 16-битную шину I/O и предназначены для применения в коммуникационных
устройствах. Время доступа при произвольной выборке составляет не более 85мс,
при страничном доступе не более 25нс.
64-битные чипы MB82DP02322A имеют напряжение питания 3В, обладают 32-битной
организацией интерфейсной шины и предназначены для применения в сотовых телефонах
стандартов W-CDMA/UMTS. Время доступа при произвольной выборке составляет не
более 60мс, при страничном доступе не более 40нс.
Компания Micron разработала
DDR-II чип, работающий на тактовой частоте 533МГц и обеспечивающий поток данных
около 4,3Гб/с. Массовое производство планируется начать к концу 2003 года и
уже в варианте 512МБ.
Компания Samsung Electronics
выпустила:
•2ГБ
модули памяти DDR SDRAM. Они выполнены на 512Мб чипах DDR266. Использование
32 таких модулей составляет полный объем системной памяти серверов типа HP ProLiant
DL580, что обеспечивает 16ГБ зеркалированной памяти.
•специализированные 4МБ чипы сегнетоэлектрической (Ferroelectric Random
Access Memory, FRAM) памяти для мобильных устройств. Вних применена представленная
в начале года технология, по которой Samsung выпускает свои 32Мб чипы FRAM,
с некоторыми дополнительными доработками, снижающими себестоимость производства
новых чипов.
Ячейки чипов FRAM обладают меньшими по сравнению с SRAM размерами и более экономичным
по сравнению с DRAM режимом работы. Ячейка новых чипов памяти занимает площадь
0,94мкм2. Напряжение питания чипов составляет 3В, время выборки порядка
80нс.
Компания
Corsair Memory выпустила два модуля памяти DDR DRAM в серии XMS3500 eXtreme
Memory Speed (XMS). Corsair CMX512-3500C2 представляет собой 512МБ модуль с
гарантированной работой на тактовой частоте 434МГц, с CAS (Column Access Strobe),
равным двум циклам. CMX256A-3500C2 имеет емкость 256МБ и аналогичные характеристики.
Компания SMART Modular Technologies,
подразделение Solectron Corporation, выпустила низкопрофильный 1ГБ модуль памяти
PC2100 Registered DIMM высотой 1 дюйм (25,4мм), а также низкопрофильный 512МБ
модуль PC2700 ECC SO-DIMM высотой 1,25 дюйма (31,75мм).
Модули 1ГБ предназначены для эксплуатации в составе коммуникационных систем,
не позволяющих использовать стандартные 1,2 модули DIMM ввиду компактных габаритов.
Модули 512МБ ECC SO-DIMM разработаны для применения в устройствах малых габаритов
и различных коммуникационных устройствах класса беспроводных базовых станций,
гигабитных маршрутизаторов, VOIP-шлюзов и серверов.
Компания Elpida представила
модули памяти SO-DIMM DDR (Small Outline DIMM малоразмерные модули) емкостью
1ГБ. Основной сферой их применения станет установка памяти в переносных компьютерах.
По словам представителей компании, линейные размеры модулей, уже готовых к выпуску,
согласованы с международным консорциумом JEDEC.
Как заявляют специалисты, использованная технология по размещению элементов
на плате позволяет обеспечивать свободную и эффективную циркуляцию воздуха для
лучшего охлаждения. Также известно, что рабочее напряжение памяти составляет
2,5 вольта, а руководство Elpida подтверждает сведения о том, что в скором времени
появятся аналогичные DDR333 модули емкостью 1ГБ. Массовый выпуск новых модулей
памяти планируется на следующий год. Сейчас стоимость одного модуля составляет
$2400.
Компания
Transcend Information выпустила 1ГБ Unbuffered и 2ГБ ECC Registered модули
памяти DDR266. Обе новинки выполнены на 512Мб чипах DDR266 от ведущих производителей
DRAM и предназначены главным образом для применения в high-end серверах и рабочих
станциях. Напряжение питания 2,5В.
Флэш
Компания
FujiFilm выпустила переходники DPC-CF с карт xD Picture Card на формат Compact
Flash.
Ориентировочная цена E55. Таким образом, пользователь получает возможность
использовать купленные карты xD Picture Card не только с фотоаппаратами, но
и с PDA, ноутбуками ит.д.
Компания NEC анонсировала поставки
образцов чипов флэш-памяти типа NOR емкостью 256Мб, с 16-битной (PD29F256115)
и 16/32-битной (PD29F256415) организацией выборки, предназначенных для применения,
главным образом, в мобильных устройствах. Чипы производятся на линиях с нормами
0,15-мкм техпроцесса, с применением двухуровневой архитектуры Multi Level Cell,
что позволяет хранить в каждой ячейке до двух битов данных, при этом время страничной
выборки составляет около 25нс.
Образцы новых 256 Мбит чипов NOR флэш-памяти будут поставляться по цене около
$40 за штуку, начало массового производства чипов с месячным объемом производства
до 1,5млн штук запланировано на первую половину 2003 года.
Японская компания Vertex Link
представила многоформатное устройство RD6 для считывания и записи флэш-карт.
RD6 имеет 3 слота для флэш-карт и может работать с карточками 6 различных стандартов:
CompactFlash (CF), IBM Microdrive, SmartMedia (SM), Memory Stick (MS), Secure
Digital (SD) и Multi Media Card (MMC). При подключении устройства к компьютеру
каждый из трех слотов распознается как самостоятельный дисковод.
Устройство оснащено интерфейсом USB2.0 и обратно совместимо с интерфейсом
USB1.1. RD6 может подключаться к компьютерам, работающим под управлением ОС
MS Windows98/ME/2000/XP. При использовании ОС WindowsME или XP дополнительная
установка драйверов не требуется. Электропитание устройства осуществляется через
интерфейс USB, что снимает необходимость использования внешнего блока питания.
Габаритные размеры Vertex Link RD6 составляют 96х63х13мм, вес около 62грамм.
Ориентировочная розничная цена около $44.
Системы
Компания Promise Technology
представила ATA RAID систему хранения данных UltraTrak RM4000, предназначенную
для монтажа в стойку. Модуль высотой 1U предназначен для размещения до четырех
Ultra ATA накопителей для создания RAID-массива категорий RAID 5, 0+1, 1, 0
или JBOD. Интересной особенностью UltraTrak RM4000 является то, что накопитель
подключается к серверу или ПК с помощью стандартного Ultra160 SCSI-интерфейса,
инициализируясь в системе в качестве одного стандартного SCSI-привода.
Настройка,
мониторинг и управление осуществляются одним из трех методов: с помощью кнопок
на LCD-панели, командной строкой интерфейса с использованием программы-эмулятора
терминала, или с помощью ПО Promise Array Management (PAM), позволяющего производить
мониторинг и управление накопителем на удаленном ПК под управлением Windows
через TCP/IP-сети.
Накопитель UltraTrak RM4000 поддерживает дистанционное расширение и перенос
данных, а также функцию горячей замены дисков. Поддержка режима Large LBA
позволяет использовать накопители объемом более 137ГБ таким образом, например,
суммарная емкость UltraTrak RM4000 при использовании 200ГБ винчестеров может
быть доведена до 800ГБ.
Винчестеры
Компания
Maxtor анонсировала семейство ATA-винчестеров Maxtor MaXLine емкостью до 320ГБ
и наработкой на отказ (MTTF), превышающей 1млн часов. Характеристики моделей
серии Maxtor MaXLineII: среднее время позиционирования менее 11мс; интерфейс
Ultra ATA-133 или SATA; буфер 2МБ; скорость вращения шпинделя 5400об/мин.
Ориентировочная цена от $300. Характеристики моделей серии MaXLine PlusII:
среднее время позиционирования менее 9мс; интерфейс Ultra ATA-133 или SATA;
буфер 8МБ; скорость вращения шпинделя 7200об/мин. Ориентировочная цена
от $400.
Компания Toshiba и ее подразделение
Toshiba Storage Device Division (SDD) выпустили малогабаритный винчестер MK6022GAX
емкостью 60ГБ, со скоростью вращения шпинделя 5400об/мин, толщиной 9,5мм.
Он выполнен на двух пластинах с удельной емкостью записи 49,8ГБ/кв. дюйм,
оборудован интерфейсом ATA-5 и обладает противоперегрузочным сопротивлением
до 200G (в рабочем состоянии) или до 800G (в нерабочем состоянии). Среднее
время доступа составляет 12мс. Интерфейс Ultra DMA-100. Объем буфера 16МБ.
Сайт газеты "Компьютер-Информ" является зарегистрированным электронным СМИ. Свидетельство Эл 77-4461 от 2 апреля 2001 г. Перепечатка материалов
без письменного согласия редакции запрещена.
При использовании материалов газеты в Интернет гиперссылка обязательна.
Телефон редакции (812) 718-6666, 718-6555.
Адрес: 196084, СПб, ул.Заставская, д.23, БЦ "Авиатор", 3-й этаж, офис 307
e-mail: editor@ci.ru
Для пресс-релизов и новостей news@ci.ru
Компания Toshiba выпустила
1Гбит чипы флэш-памяти типа NAND, разработанные совместно с компанией SanDisk.
NAND-тип памяти разработан для улучшения характеристик перезаписи и повышения
плотности по сравнению с NOR-типом памяти и применяется в съемных картах памяти
SmartMedia, CompactFlash и Secure Digital. Они будут производиться по 0,13-мкм
технологии. Чипы доступны в двух вариантах: в корпусе TSOP (Thin Small Outline
Package, версия TC58NVG0S3AFT) и в корпусе LGA (Land Grid Array, версия TC58NVG0S3AXL).
Обе версии чипа имеют конфигурацию 128Мх8бит, напряжение питания 2,73,6В,
размер страничной памяти составляет 2112Б, размер блока 128К+4К.
•2ГБ
модули памяти DDR SDRAM. Они выполнены на 512Мб чипах DDR266. Использование
32 таких модулей составляет полный объем системной памяти серверов типа HP ProLiant
DL580, что обеспечивает 16ГБ зеркалированной памяти.
Настройка,
мониторинг и управление осуществляются одним из трех методов: с помощью кнопок
на LCD-панели, командной строкой интерфейса с использованием программы-эмулятора
терминала, или с помощью ПО Promise Array Management (PAM), позволяющего производить
мониторинг и управление накопителем на удаленном ПК под управлением Windows
через TCP/IP-сети.
КОМПЬЮТЕР-ИНФОРМ