Компания Seagate Technology
представила технологию записи и хранения информации на жестких дисках HAMR (Heat
Assisted Magnetic Recording термомагнитная запись), позволяющую существенно
повысить плотность записи. Она заключается в записи данных посредством намагничивания
высокостабильного носителя под термическим воздействием лазерного луча. Такой
способ записи информации позволяет добиться, помимо высокой плотности, высокой
надежности хранения данных, поскольку размагничиванию вещество не подвергается.
Ктому же, использование магниторезистивной технологии слишком дорого по сравнению
с HAMR. По утверждению разработчиков, использование лазерного луча вместо традиционных
магнитных головок, позволяет преодолеть так называемый сверхпарамагнитный предел
плотности магнитной записи более чем в 100 раз. Потенциально возможная плотность
записи при использовании технологии HAMR составляет 50ТБ на кв. дюйм.
КомпанияPhilips
представила прототип оптического диска диаметром 1,2 и емкостью 1ГБ. Достичь
столь высокой плотности записи специалистам Philips удалось за счет использования
лазера голубого диапазона с меньшей длиной волны, чем у традиционного красного.
Являясь одним из членов инициативной группы Blu-ray Disc Founders, Philips
активно продвигает эту технологию. Прототип считывающего привода для нового
носителя имеет размеры 5,6х3,4х0,75см. По словам разработчиков, это позволяет
использовать его в различных портативных устройствах уже сейчас. Ав будущем,
по замыслу Philips, миниатюрные оптические диски с возможностью перезаписи будут
использоваться в качестве недорогой альтернативы флэш-памяти в цифровых камерах,
карманных ПК и сотовых телефонах. Чтобы эта перспектива стала реальностью, специалисты
Philips планируют работать над снижением энергопотребления новых приводов и
уменьшением их размеров. Отом, когда следует ожидать появления коммерческих
образцов приводов для 1,2 дисков, компания пока не сообщает. Впрочем, пока
что внедрение миниатюрных CD-приводов наталкивается на серьезные ограничения:
такие оптические приводы до сих пор достаточно дороги для установки в карманные
устройства; размеры приводов несравненно крупнее их главного конкурента карт
флэш-памяти, которые не имеют движущихся частей, что, опять же, говорит не в
пользу оптических приводов.
Компании Matsushita Electric
и Canon представили привод 2 магнитооптических дисков, использующих так называемую
технологию расширения пространства записи (Domain Wall Displacement Detection
DWDD). Емкость носителей нового стандарта, разработанного компаниями совместно,
составляет 3ГБ.
Новая технология позволяет размещать на диске больше информации и является,
по сути, аналогом перехода дисков CD на DVD. Для записи информации на носитель
используется красный лазер с числовой апертурой NA:0,6, способный управлять
информацией на четырех слоях диска управляющем, переключающем, записывающем,
а также на слое для чтения.
При этом плотность записи информации получается очень высокой, на диске диаметром
50,8мм помещается до 3ГБ данных.
Драйверы для устройств на шине
Hi-Speed USB встроены в только что выпущенный первый пакет обновления (Service
Pack1) ОС MS WindowsXP и в готовящуюся к выпуску ОС .Net Server, а также в
следующую версию ядра Linux. Помимо этого, многие изготовители плат расширения
предлагают собственные драйверы для ОС Windows98 и WindowsMe. Основным фактором
столь широкомасштабного распространения стала интеграция шины USB2.0 в наборы
микросхем, к поставкам которых корпорация Intel приступила еще весной. Ее примеру
вскоре последуют и другие производители. Главные достоинства шины Hi-Speed USB:
скорость передачи данных, возросшая в 40 раз (до 480Мб/с) по сравнению с предшествующей
версией технологии USB (12Мб/с), а также расширенная пропускная способность
средств ввода-вывода.
Директор лаборатории квантовых
исследований Hewlett-Packard Стэнли Вильямс, сообщил, что в лаборатории HPLabs
(Стокгольм, Швеция) создан самый миниатюрный в мире чип энергонезависимой памяти
64 однобитные ячейки памяти размещены на площади в 1мкм2.
Столь
высокой степени миниатюризации удалось достичь благодаря тому, что каждая ячейка
памяти имеет молекулярные размеры. При этом информацию в ячейках памяти можно
перезаписывать, и она не стирается при отключении питания. На технологию производства
такой памяти компания получила уже 4 патента.
Возглавлял работу старший научный сотрудник HPLabs Йонг Чен. Вработе также
принимали участие Дуглас Олберг (DouglasA.A.Ohlberg), Сюэма Ли, Дункан Стюарт
(Duncan Stewart), Тань Ха, Гунь-Йонг Цзюн и Хилке Виерсма (Hylke Wiersma). Для
изготовления лабораторного образца сверхминиатюрной памяти специалисты HPLabs
использовали метод нанопечатной литографии, позволяющей делать копии чипов на
пластинах, подобно тому, как делаются копии страниц с оригинал-макета в типографиях.
Процесс изготовления чипа выглядел следующим образом. Сначала была изготовлена
матрица-пресс площадью 1мкм2, состоящая из 8 параллельных линий шириной 40
нанометров каждая. Далее пресс был прижат к полимерному слою на полупроводниковой
пластине для создания углублений (впоследствии были заполнены платиной), которые
играют роль проводников. На поверхность получившейся заготовки был нанесен слой
молекул, состояние которых изменяется приложением внешних электрических полей.
После этого кремниевая пластина разворачивалась на 90о, и на нее снова воздействовал
пресс, а каналы заполнялись платиной. Врезультате на поверхности кремниевой
пластины была получена сетка. Вкаждой из 64 точек пересечения параллельных
и перпендикулярных проводников между ними оказалось около 1000 молекул, играющих
роль запоминающей ячейки. Каждый из этих 64 узлов и представляет собой ячейку
памяти емкостью 1бит. Запись единицы происходит импульсом тока, изменяющим
сопротивление ячейки. Чтение производится измерением сопротивления при разности
потенциалов, меньшей уровня записи единицы. Кроме собственно ячейки памяти с
помощью нанопечатной литографии был изготовлен и демультиплексор устройство,
использующееся для адресации памяти.
По сообщению агентства Reuters, ученые HPLabs планируют сделать свою память
еще более миниатюрной. При этом на 1см2 будет размещаться до 100Гбит информации,
то есть в 15 раз больше, чем на представленной недавно лабораторной модели.
Воплотить новую технологию в промышленном масштабе Hewlett-Packard рассчитывает
в течение ближайших 510 лет.
Рабочая группа Serial ATA представила
предварительный вариант окончательной версии спецификации Serial ATAII, публикация
которой намечена на четвертый квартал текущего года. Число участников рабочей
группы Serial ATA, среди которых компании APT, Dell, Intel, Maxtor и Seagate,
выступившие инициаторами ее формирования, уже превысило сотню. Разработка усовершенствованной
спецификации Serial ATAII проходит в два этапа. На первом этапе определяются
технические характеристики функций, ориентированных на серверные и сетевые устройства
хранения данных, включая новые возможности нивелирования нагрузки на серверы,
а также способы модернизации инфраструктуры путем оснащения корпусов устройств
хранения данных средствами подключения через интерфейс Serial ATA. Массовый
выпуск продукции на основе достижений первого этапа, намеченный на середину
будущего года, станет возможным благодаря 100% программной совместимости устройств
на основе спецификации Serial ATA1.0 с ныне существующим параллельным ATA-протоколом,
а также с современными ОС. На вторую половину 2003 года намечено завершение
второго этапа разработки спецификации Serial ATAII, призванной обеспечить прохождение
сигналов на скоростях нового поколения. Приступить к освоению продукции на базе
достижений второго этапа намечено на второе полугодие 2004г. Интерфейс Serial
ATA должен прийти эволюционным путем на смену параллельному интерфейсу ATA.
Благодаря применению более тонких и гибких кабелей, а также снижению числа контактов
в соединительных разъемах, новая спецификация обеспечит упрощение маршрутизации
и монтажа кабельных соединений, улучшение тепловых характеристик и уменьшение
габаритов систем. Одновременно новый интерфейс способствует упрощению и повышению
гибкости маршрутизации соединений на системных платах, а также применению более
компактных соединительных разъемов по сравнению с ныне существующей технологией
параллельного подключения через интерфейс ATA. Совершенствование новой технологии
на основе спецификации Serial ATAII приведет к разработке интерфейса подключения
устройств хранения данных, отвечающего потребностям компьютерного оборудования
следующего десятилетия. Подробная информация о деятельности рабочих групп Serial
ATA и Serial ATAII доступна по адресу: http://www.serialata.org.
Сети и связь
Компании Royal Philips Electronics
и Sony начали разработку технологии беспроводной передачи данных на небольшие
расстояния Near Field Communication NFC.
Эта технология позволяет подключать с небольшого расстояния к сети бытовые
устройства с NFC-интерфейсом и предназначена для того, чтобы значительно усовершенствовать
способ беспроводного доступа пользователей к данным и услугам. Несущая частота
NFC будет небольшой 13,56МГц.
Ожидается, что на расстоянии 20см технология обеспечит скорость обмена данными
в 212Кб/с. Вотличие от других коммуникационных стандартов, в том числе и Bluetooth,
основной структурной единицей в NFC станут смарт-карты, которые и будут отвечать
за безопасность расчетов за услуги и осуществлять контроль доступа.
NFC-технология полностью совместима с существующими технологиями бесконтактного
считывания смарт-карт Philips Mifare и Sony FeliCa.
Компания Ericsson сообщила
о коммерческом развертывании системы IMPS услуг мгновенного обмена сообщениями
и определения присутствия пользователя. Новая система развивается в рамках проекта
Wireless Village. IMPS2.0 это платформа, объединяющая системы мгновенного
обмена сообщениями между мобильными телефонами и компьютерами, подключенными
к Интернет. Она позволяет создавать группы для связи, конференц-чаты и видеть
присутствие в онлайне участников группы.
Корпорация
3Com продемонстрировала технологию XRN (eXpandable Resilient Networking). Сети
XRN построены на основе Layer3 коммутаторов 3Com по распределенному принципу,
чтобы минимизировать риск отказа и увеличить гибкость при расширении сети. Вдемонстрации
XRN использованы Layer3 коммутаторы Switch4060, соединенные специальным образом
при помощи XRN Interconnect Kit и многочисленные SuperStack3 Switch4400, отвечающие
за приоритеты трафика и дуплексную связь с XRN-коммутаторами. Целью демонстрации
было показать, как с помощью серверов осуществляется передача видеопотоков,
а несколько ПК-клиентов XRN просматривали эти видеофрагменты, демонстрируя возможность
просмотра видео и прослушивание аудио без задержек.
Дисплеи
Тайваньская компания AU Optronics
(AUO) продемонстрировала два действующих прототипа дисплеев: 3,8 ЖК дисплей
на основе низкотемпературного поликристаллического кремния (LTPS) и 4 LTPS-дисплей
с активной матрицей на основе органических светодиодов (OLED). По утверждению
разработчиков, LTPS-дисплей, частично работающий в отраженном свете, потребляет
значительно меньше электроэнергии, чем обычные активные дисплеи. Благодаря этому
свойству, он может использоваться в мобильных телефонах и КПК, для которых чрезвычайно
важно пониженное энергопотребление. Их опытное производство начнется в четвертом
квартале 2002 года, а серийное производство предполагается организовать в третьем
квартале 2003 года. OLED-дисплей является дальнейшим развитием OLED-технологии.
Ранее компания AU Optronics представила 4 OLED-дисплей на основе аморфного
кремния.
Компания
Universal Display представила вариант развития технологии OLED PHOLED или
Phosphorescent OLED (фосфоресцирующие органические светоизлучающие элементы).
Компания продемонстрировала прототип мобильного телефона разработки Samsung
SDI, в котором используется PHOLED-экран Universal Display. Экран имеет диагональ
2,2 и обеспечивает яркую и контрастную картинку. При этом, по словам представителей
Universal Display, экран является довольно экономичным, не осложняя и без того
непростую жизнь аккумулятора телефонного аппарата. Так что будем ждать появления
таких игрушек в продаже.
Японская компания Sanyo Electric
разработала систему созданиястереоскопического изображения, не требующую использования
специальных очков идругихвспомогательных средств.
Стереоэффект достигается за счет размещения перед плазменным или жидкокристаллическим
дисплеем двух панелей, на которых выводится различное изображение для левого
и правого глаза. Чтобы увидеть стереоскопическое изображение, зрители должны
находиться на расстоянии от 1,5 до 5м от экрана. Желательно также, чтобы экран
находился непосредственно перед зрителем, хотя, если смотреть на картинку под
небольшим углом, эффект объемности изображения сохранится. Эту технологию Sanyo
планирует использовать при изготовлении 50 плазменных стереоэкранов. Начало
производства опытных образцов таких дисплеев намечено на март 2003г. Их цена
будет почти в два раза больше, чем у обычных дисплеев с таким же размером экрана.
Основными сферами применения стереоскопических дисплеев должны стать образование
и реклама.
Компания
Sinar выпустила CCD (ПЗС-матрица) сенсор KAF-22000CE, состоящий из 22млн элементов.
Он обеспечивает разрешение 4080х5440 (формат 4:3), имеет размеры 38,8х50мм
(линейный размер каждого элемента 9мкм). Сообщается, что KAF-22000CE, производимый
Kodak, будет продемонстрирован на выставке Photokina, которая пройдет в октябре.
На выставке InfoComm несколько
компаний демонстрировали технологии соединения изображений, проецируемых из
нескольких источников, в одну картинку с эффектом отсутствия видимых границ.
Компания Digital Projection демонстрировала изображение водопада высотой 12,1м,
воспроизводимое четырьмя проекторами. Картинка смотрелась непрерывно, нигде
не было граничных линий и разрывов. Она состояла из четырех, частично наложенных
друг на друга, совмещенных изображений разрешением 1280x1024. Суммарная яркость
проекторов составляла 20,000 люмен. Компания NEC Solutions смогла объединить
проекторы и плазменные панели. Панорамное изображение формата 3,5:1 подавалось
тремя проекторами с наложением фрагментов по горизонтали. По бокам к нему примыкали
два 61 плазменных дисплея NEC, расположенные вертикально. Компания DPI представила
цифровойпейзажизображение 3,8x12,1м, создаваемое тремя проекторами. Для
совмещения краев использовалась технология Folsom Research, способная принимать
видеоизображения от четырех источников и создавать совмещенное изображение.
Несколько модулей-обработчиков Blend PRO могут обеспечить совмещение более чем
четырех картинок.
Компоненты
Компания Cool Chips plc, занимающаяся
разработкой инновационных технологий в сфере термоэлектрического охлаждения,
основанных на квантовом туннелировании, получила патент 6417060, называемый
Метод создания диодного устройства. Этот последний из серии патентов, первый
из которых был получен еще в 1995 году, лицензирует метод производства устройств
преобразования энергии, основанный на туннелировании электронов через зазоры
наноразмеров.
Это устройство является вакуумным диодом, который передает тепло с одного участка
чипа на другой, что позволяет проводить локальное охлаждение. Технология работает
без всяких моторов и без жидкостей, загрязняющих окружающую среду. Такие свойства
могут получить обширное применение не только в компьютерных технологиях, но
также и в аэрокосмических. Технологии Cool Chips были куплены отделением компании
Boeing.
Директор исследовательского
отдела Intel в Калифорнийском университете в Беркли Ганс Малдер, сообщил на
форуме разработчиков Intel (Intel Developer Forum) в Сан-Хосе, штат Калифорния,
о создании умной пыли микроскопических устройств-сенсоров с автономным питанием
и функцией беспроводной связи.
Как заявил Малдер, эти устройства уже проходят испытания. Размещенные в различных
местах, эти сенсоры будут самостоятельно объединяться в сети, и работать от
встроенных источников питания в течение нескольких лет. Пока же сенсорные сети
могут состоять всего из нескольких сотен пылинок, поскольку эти устройства
слишком дороги, а длительность их работы исчисляется всего несколькими днями.
По словам Малдера, главным препятствием к массовому распространению сенсорных
сетей является стоимость источников питания около $150. На IDF Малдер продемонстрировал
несколько различных вариантов мини-сенсоров. Сенсор Mica имеет 128КБ программной
флэш-памяти, 256КБ флэш-памяти для хранения данных и радиопередатчик, работающий
на частоте 900МГц. Некоторые из этих устройств работают под управлением операционной
системы TinyOS, официальное представление которой запланировано на сентябрь
текущего года. Код этой операционной системы является открытым и состоит всего
из 8,5КБ.
Внастоящее время уже существует несколько сенсорных сетей. Одна из них проходит
боевые испытания в Афганистане, где вооруженные силы США разместили несколько
тысяч сенсоров с целью отслеживания передвижений боевой техники.
Другая сеть используется на острове Дикой утки в штате Мэн, где с ее помощью
ученые изучают миграцию буревестников, еще одна в составе системы симулятора
землетрясений в Беркли.
Компания AMD заявила, что изготовила
транзисторы с двойным стробированием, используя промышленную технологию.
Транзисторы имеют размер 10нм в 6 раз меньше самых маленьких из производимых
на сегодня транзисторов. Транзисторная структура с двойным стробированием удваивает
силу тока, проходящего сквозь транзистор.
AMD поясняет, что ее технология ребристого транзистора с полевым эффектом (FinFET)
построена на использовании тонкого вертикального кремниевого ребра, используемого
для управления утечкой тока сквозь транзистор в тот момент, когда он находится
в закрытом состоянии.
На Intel Developer Forum компания
Intel продемонстрировала 64-битный микропроцессор, состоящий из 500млн транзисторов.
При этом представители Intel заявили, что в данный момент разрабатывается микросхема
с 1млрд транзисторов. Президент и операционный директор компании Пол Отеллини
(Paul Otellini) отметил, что новый чип будет иметь интегрированную графику,
логику и защиту. Также был продемонстрирован 64-битный процессор под условным
названием Madison, который на данный момент является наиболее высокоинтегрированным
чипом.
Его поставки должны начаться в 2003 году.
Компания Intel выпустила окончательную
версию спецификации AGP3.0, определяющую технические условия решения AGP8x.
Она является интеллектуальной собственностью Intel, но лицензии на нее Intel
выдает бесплатно. Технология AGP8x удваивает скорость передачи данных по сравнению
с AGP4x. Наряду со специалистами из Intel в разработке спецификации принимали
участие инженеры из ATI, NVIDIA, Matrox и 3Dlabs. Технология AGP8x станет последним
параллельным интерфейсом, отвечающим потребностям компьютерной индустрии, перед
ее переходом в 2004 году на последовательное решение по передаче графических
данных на базе шины PCI Express.
Окончательная версия 1.0 спецификации AGP3.0 доступна по адресу developer.intel.com/technology/agp/.
В подразделении Electronic
Components японской компании Matsushita разработан новый тип громкоговорителя.
Его главным достоинством является минимальное искажение низких частот около
20% от аналогичного параметра традиционных динамиков. Подобный эффект достигнут
за счет отказа от использования демпфера диффузора (эта деталь защищает от короткого
замыкания звуковую катушку). Его место заняла дополнительная диафрагма. Предпринимавшиеся
ранее попытки снизить искажения низких частот за счет изменения формы и материала
демпфера не давали столь ощутимого эффекта. Вянваре будущего года Matsushita
начнет изготовление пробных партий новых динамиков. Ак октябрю 2003г. должно
начаться их массовое производство.
Компания Intel на IDF представила
технологию Wireless MMX для мобильных устройств на основе флэш-памяти StrataFlash
и процессоров XScale. Эта технология представляет собой набор мультимедийных
инструкций, основанных на архитектуре процессоров Intel для ПК. Набор инструкций
призван: помочь создать высокопроизводительную 64-разрядную мультимедийную архитектуру
процессоров XScale следующего поколения; упростить задачу переноса на мобильные
беспроводные устройства таких мультимедийных приложений для ПК, как двухмерные
и трехмерные игры, потоковое видео в формате MPEG-4, программы беспроводного
шифрования и дешифровки, а также программы распознавания речи и редактирования
цифрового контента. Новая технология Intel Wireless MMX входит в пакет разработчика
приложений для платформ компании Intel. Бета-версия пакета разработчика для
микроархитектуры Intel XScale была представлена 10 сентября 2002 года. Вэтот
пакет вошли компилятор, отладчики и эмуляторы XScale, поддерживающие Intel Wireless
MMX. Вбудущих версиях таких приложений для оптимизации кода, как Intel VTune
Performance Analyzer и Intel Integrated Performance Primitives, будет также
реализована поддержка технологии Wireless MMX. Внастоящее время технология
Intel Wireless MMX поддерживается ОС WindowsCE .NET4.1, SymbianOS, Palm OSv.5,
Linux разработки компаний MontaVista и Embedix.
Компания Fuji Photo Film разработала
оптоволокно из пластика, что снижает его стоимость. Максимальная пропускная
способность кабелей на основе пластикового оптоволокна превышает 1Гб/с. Это
лишь немногим хуже, чем у стеклянного оптоволокна. Предполагается, что основным
рынком для нового кабеля станут домашние сети и последняя миля для широкополосного
подключения к Интернет.
Компания Matsushita Electric
Industrial разработала технологию трехмерного сверхкомпактного монтажа электронных
компонентов SIMPACT (System In Module using Passive and Active Components
embedding Technology модульная система с использованием технологии встраивания
пассивных и активных компонентов). Вее основе лежат принципиально новый материал
основания платы и новая проводящая паста для соединения различных слоев основания.
Новый материал основания плат состоит из двух основных компонентов: керамического
порошка и термореактивной смолы. Вобычном состоянии этот материал отличается
гибкостью, однако после термообработки он становится твердым. Использование
новой проводящей пасты повысило надежность соединений между различными слоями
многослойных плат. Всостав пасты входит токопроводящий наполнитель, смола и
отвердитель. Втех местах основания платы, где несколько слоев должны соединяться
между собой, формируются каналы, заполняемые проводящей пастой. После термообработки
паста затвердевает, обеспечивая надежное соединение проводников на различных
слоях. Благодаря гибкости основания, печатные платы, изготовленные по технологии
SIMPACT, могут иметь самую разнообразную форму. Плотность размещения компонентов
увеличивается на 75%, а толщина основания трехслойной платы может составлять
всего 1,2мм. Промышленное производство плат планируется начать в 2004г. По
прогнозам Matsushita, они должны найти самое широкое применение в компактных
устройствах.
Сайт газеты "Компьютер-Информ" является зарегистрированным электронным СМИ. Свидетельство Эл 77-4461 от 2 апреля 2001 г. Перепечатка материалов
без письменного согласия редакции запрещена.
При использовании материалов газеты в Интернет гиперссылка обязательна.
Телефон редакции (812) 718-6666, 718-6555.
Адрес: 196084, СПб, ул.Заставская, д.23, БЦ "Авиатор", 3-й этаж, офис 307
e-mail: editor@ci.ru
Для пресс-релизов и новостей news@ci.ru
Компания Seagate Technology
представила технологию записи и хранения информации на жестких дисках HAMR (Heat
Assisted Magnetic Recording термомагнитная запись), позволяющую существенно
повысить плотность записи. Она заключается в записи данных посредством намагничивания
высокостабильного носителя под термическим воздействием лазерного луча. Такой
способ записи информации позволяет добиться, помимо высокой плотности, высокой
надежности хранения данных, поскольку размагничиванию вещество не подвергается.
Ктому же, использование магниторезистивной технологии слишком дорого по сравнению
с HAMR. По утверждению разработчиков, использование лазерного луча вместо традиционных
магнитных головок, позволяет преодолеть так называемый сверхпарамагнитный предел
плотности магнитной записи более чем в 100 раз. Потенциально возможная плотность
записи при использовании технологии HAMR составляет 50ТБ на кв. дюйм.
Столь
высокой степени миниатюризации удалось достичь благодаря тому, что каждая ячейка
памяти имеет молекулярные размеры. При этом информацию в ячейках памяти можно
перезаписывать, и она не стирается при отключении питания. На технологию производства
такой памяти компания получила уже 4 патента. 
КОМПЬЮТЕР-ИНФОРМ