Рубрику ведет Сергей Колесников, editor@ci.ru
Компьютер-Информ || Архив || Рубрики || Поиск || Подписка || Работа || О "КИ" || Карта
Новые технологии
Рубрику ведет Сергей Колесников, editor@ci.ru
Корпорации Toshiba, Sony и NEC Electronics анонсировали завершение совместной разработки и начале массового производства платформы для создания БИС на основе 45-нм техпроцесса. Среди особенностей платформы следует отметить обновленную схему транзистора и использование гибридной структуры с пленкой, обладающей малой диэлектрической постоянной (low-k). Модификация транзисторов заключалась в деформации, которая использует локальные искривления кристаллической решетки в ключевых узлах, а путем оптимизации местных деформаций удалось на 30 процентов повысить производительность. Пленка с low-k в промежуточном слое чипа позволила снизить паразитические сопротивления и обладает 15-летним сроком службы.
Отметим, что применение иммерсионной литографии со сверхвысокой (более 1) числовой апертурой для формирования узлов транзистора позволяет получить ячейку площадью 0,248 мкм2 для памяти сверхвысокой плотности. В планах компаний разработка двух платформ для создания высокоэффективных БИС на основе норм 45-нм, а также для использования в соответствии с требованиями низкого энергопотребления. Окончание работ планируется завершить в начале 2007 года.
Корпорации AMD и IBM также сообщили некоторые подробности о предварительных результатах применения иммерсионной литографии и диэлектриков со сверхнизкой проницаемостью в 45-нм чипах. Так, например, благодаря применению технологии иммерсионной литографии удалось увеличить показатель производительности ячейки памяти SRAM приблизительно на 15 процентов без использования более дорогостоящей методики двукратного экспонирования. Как ожидают AMD и IBM, первые продукты, выполненные по 45-нм технологии, появятся в середине 2008 г. Согласно проведенным экспериментам, несмотря на возросшую плотность размещения 45-нм транзисторов, были зарегистрированы 80 процентов увеличение управляемого тока на р-канале и 24 процента увеличение управляемого тока на n-канала по сравнению с обычными транзисторами. Напомним, что в ноябре 2005 г. обе компании объявили о дальнейшем расширении совместных разработок вплоть до 2011 г., охватывающих 32-нм и 22-нм технологические процессы.
Специалисты компании Mears Technologies разработали технологию, которая позволит бороться с ростом тока утечки при уменьшении размеров транзисторов. Заметим, что при использовании технологических норм 65-нм процесса, утечка может составлять около 70 % потребляемой чипом энергии. Бороться с указанной проблемой предлагается путем внесения в канал транзистора сверхрешетки, которая усиливает ток в плоскости канала и блокирует движение электронов в перпендикулярном направлении. Ученые утверждают, что это позволит снизить ток утечки на величину от 70 процентов до 90 процентов. Методика Mears silicon-on-silicon позволит производить чипы по нормам до 22 нм только путем использования дополнительного эпитаксиально-напыленного слоя кремния вместо обычного канала. Толщина сверхрешетки составляет около 10 нм.
Известно, что одним из препятствий на пути создания высокоскоростных чипов, использующих фотонные технологии, является неконтролируемость скорости оптических потоков. Специалисты компании IBM предложили использовать микрокольцевой резонатор, который будет увеличивать длину маршрута для фотонов. Его принцип работы заключается в перенаправлении оптического сигнала в резонатор. Такое буферообразное устройство позволит на необходимое время задерживать сигнал. Кроме того, площадь микрокольцевого резонатора не превышает 0,03 мм2.
Ученые Иллинойского университета разработали опытный образец транзистора, который способен функционировать на частоте 845 ГГц. Конструкция элемента включает два полупроводника (InP/InGaAs) и, как отмечается, особую гетерогенную. В частности, сообщается, что толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. А структура вытянута в вертикальном направлении, что позволило уменьшить дистанцию, которую необходимо преодолеть носителям заряда. Правда, при 25 град.C транзистор работает на частоте "всего" 765 ГГц, а частоту 845 ГГц зафиксировали при -55 град.C.
Институт ASTRON совместно с корпорацией IBM начал совместную разработку специализированных высокопроизводительных процессоров для обработки аналоговых и смешанных сигналов. Устройства планируется использовать в тысячах антенн в рамках проекта по созданию опытного образца радиотелескопа SKADS/EMBRACE. Ожидается, что это будут чипы со сверхнизким энергопотреблением, низким уровнем шума и частотой более 200 ГГц. А их производство планируется на базе технологии IBM SiGe 8HP по нормам 0,13-мкм техпроцесса. Это будет кремниево-германиевая (Silicon Germanium) технология, которая включает в чип радиочастотные аналоговые схемы. Реализация первого процессора и поставка опытных образцов намечена на первую половину 2007 года.
Ученые британского Университета Хериот-Уотта разработали систему Image Replication Imaging Spectrometer (IRIS), которая способна воспринимать гораздо более обширную цветовую гамму, нежели человеческий глаз. Напомним, что система человеческого зрения воспринимает только три чистых цвета (RGB), из которых затем и формируется множество других цветов. Разработка шотландских ученых IRIS может оперировать сразу 32 цветами. Принцип работы системы заключается в съемке 32 кадров, каждый из которых предоставляет информацию об одном цвете из поддерживаемого набора. Последующая обработка несколько изменяет итоговое изображение с учетом особенностей человеческого зрения и затем поступает на дисплей. Ожидается, что разработка может найти применение в военной, медицинской и других отраслях, где важна даже незначительная разница в цветовых оттенках.
Специалисты Стэнфордского университета совместно с учеными из университета Лос-Анджелеса разработали методику размещения органических монокристаллов на большой поверхности. Отметим, что монокристаллические органические транзисторы отличаются высокой скоростью переключения. Калифорнийские ученые разработали способ сборки монокристаллических транзисторов на самых разных поверхностях. Ранее для подобной операции требовалась ручная работа. Начальный этап процесса предполагает нанесение электродов, а затем делается штамп из специального полимера в соответствии со схемой размещения транзисторов. После этого полимер покрывается веществом, предназначенным для выращивания монокристаллов, и начинается процесс их роста из газовой фазы. Изготовление транзистора заканчивается, когда кристаллы присоединяются к электродам. В ходе эксперимента удалось разместить транзисторы на площади 49 мкм2. Практическая польза методики заключается в возможности создания гибких дисплеев и других электронных устройств.
Специалисты Токийского университета разработали наноструктуры толщиной 16 нм - "нанокабели", которые способны преобразовывать свет в электрическую энергию. Принцип работы схож с процессами, происходящими в солнечных батареях. Отметим, что их толщина может достигать нескольких микрометров. Химический состав первоначального материала включает гексабензокоронин (HBC), две цепи углерода-12 и тринитрофлуоренон (TNF). Методика предполагает дальнейшее погружение смеси в раствор тетрагидрофурана и обработку парами метана. В результате получается трубчатая структура, способная к преобразованию потока фотонов в электрический ток.
Организация Commonwealth Scientific and Industrial Research (CSIRO) анонсировала разработку, при помощи которой можно организовать сверхбыструю беспроводную сеть. В ходе демонстрации специалисты CSIRO передали по одному каналу 16 потоков HD-видео со скоростью 6 ГБ/с. Отметим, что коммуникация приемопередатчиков происходила на расстоянии 250 м на частоте 85 ГГц, при этом все пакеты дошли до пункта назначения без потерь. Директор лаборатории беспроводных технологий CSIRO Джей Гуо (Jay Guo) отметил, что группа нацелена на создание соединения со скоростью 12 ГБ/с.
Разработчики ST Microelectronics совместно с учеными из Политехнического института Лозаннской лаборатории микро- и наноэлектронных устройств создали на базе MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) однотранзисторную ячейку памяти. Система представляет собой "подвешенный" затвор канального полевого транзистора MOSFET-структуры и микроэлектромеханический массив затворных электродов. Разработчики технологии считают, что на ее основе можно создать энергонезависимую память высокой плотности. От привычной флэш-памяти структуру отличает то, что в точке контакта с подвижным проводящим затвором происходит заряд подзатворного диэлектрика. Специалисты отмечают, что данные могут храниться на такой структуре в течение 40 лет. Еще одним преимуществом является независимость при масштабировании туннельного слоя диэлектрика, который используется в традиционной флэш-памяти. Минусом указанной технологии является низкое количество циклов перезаписи, которое не превышает 105.
Рубрики || Работа
|| Услуги || Поиск
|| Архив || Дни
рождения
О "КИ" || График
выхода || Карта сайта || Подписка
Рассылка анонсов газеты по электронной почте
Сайт газеты "Компьютер-Информ" является зарегистрированным электронным СМИ.
Свидетельство Эл 77-4461 от 2 апреля 2001 г.
Перепечатка материалов
без письменного согласия редакции запрещена.
При использовании материалов газеты в Интернет гиперссылка обязательна.
Телефон редакции (812) 718-6666, 718-6555.
Адрес: 196084, СПб, ул.Заставская, д.23, БЦ "Авиатор", 3-й этаж, офис 307
e-mail: editor@ci.ru
Для пресс-релизов и новостей news@ci.ru